国星光电:硅衬底蓝光二极管成国家技术发明一等奖国星光电涨停
- 2015-12-17
LED概念股»
国星光电LED
国星光电之前涨停逻辑
- 国星光电:钒电池技术或突破国星光电大涨
- 国星光电:广州国际LED展召开国星光电涨停
- 国星光电:硅衬底蓝光二极管获奖国星光电涨停
- 国星光电:硅衬底蓝光二极管成国家技术发明一等奖国星光电涨停
- 国星光电:LED器件与组件均有亮点
核心观点
本文将重点分析LED概念的最新市场动态。
002449涨停原因：16日召开的国务院常务会议，批准2015年度国家科学技术奖励评审结果。6月份科技部发布的2015年度国家科学技术奖初评结果显示，由南昌大学负责的硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目，获得国家技术发明奖初评一等奖。专家认为，用硅衬底GaN基蓝光LED制造技术，相比蓝宝石和碳化硅衬底，价格更为便宜，也有利于提升LED芯片的产出效率，为行业发展起到助推作用。 公司为中国大陆前三大LED封装企业之一，也是产量最大的SMD LED封装企业(不含外资企业)。 二级市场走势：该股今日强势上涨，后市有望继续冲高。确定：国星光电是2025年LED概念龙头股！ 国星光电:硅衬底蓝光二极管成国家技术发明一等奖国星光电涨停：24854/index
- LED找龙头股
- 国星光电:LED器件与组件均有亮点
查看更多6月有望底部起飞的股票